社會經濟的快速發展促進了現代化科學技術的不斷進步，為此，集成技術水平不斷提升。器件尺寸不斷縮小，這就對硅襯底片質量方面的要求進一步提升。硅片表面的顆粒、有機物、金屬、吸附分子等會嚴重影響器件性能，清洗不佳引起的器件失效已超過集成電路制造中總損失的一半。因此對硅拋光片在表面質量方面的要求越來越嚴格。對集成電路而言，制程過程中約需經過40道清洗工藝，清洗是屬于半導體制程當中必不可少且至關重要的步驟，而超超聲技術在清洗過程中的應用非常重要。

硅片清洗技術原理

分析硅片生產工藝當中，其通常要經過切片、倒角、研磨以及拋光等多項工藝流程的加工生產，這就造成了硅片表面會受到十分嚴重的污染，清洗主要針對的是硅片晶片表面。污染物吸附在硅片的表面上，通常情況下可以被劃分成為三種主要類型：

1、有機物污染物：針對這種類型的污染物進行清理，首先需要進行有機試劑對其表面進行溶解清洗，并充分利用超聲技術進行清洗。
2、顆粒污染物：采用物理方式進行清洗，其中對機械的清洗可以采用超聲技術，并在此基礎上利用超聲技術可以有效清除≤0.2μm的顆粒狀污染物。
3、金屬離子類污染物：針對這種類型的污染物進行技術清理主要需要采用化學方式進行清除。除此之外，還可以通過超聲波進行振動清除，另外輔助速濕法完成清除。采用超聲波技術處理方法需要通過蒸汽漩渦完成沖擊工作，這個過程中振動會發生在液體當中并形成氣泡，這些氣泡能夠快速爆裂并形成摩擦，這樣能夠通過氣渦去除掉一些顆粒。

超聲清洗在這個過程中主要也起到輔助作用，但是需要聽過借助于另一種機理完成。通過結合流體力學理論當中相關內容可以發現，表面固體以及液體之間的始終處在一種緩慢移動的過程中，這種條件下一些顆粒可能會在化學試劑當中表現出頑固屬性，很難被清除掉。

超聲清洗工藝技術分析

超聲主要是指頻率范圍達到500khz-499ghz聲波。這種類型聲波清洗技術的工藝原理主要是通過聲壓梯度以及粒子速度等的綜合作用，其中空化效應產生的作用為次要。通過高能頻振配合化學試劑完成對半導體硅片清洗。通過超聲技術進行清洗則因為頻率較高造成了聲波無法再試劑當中產生空化效果，清洗過程中也就不能夠生成氣泡。但是，采用超聲清洗技術能夠通過高頻聲波產生的能量將實際當中的液體以高速微水流完成對硅片表面的沖洗。進而能夠令污染物見表面粘附著的顆粒污染物以及直徑小于0.2μm的污染物被強制性的沖刷掉。超聲清洗的顆粒去除度與聲波流的空穴作用、氣體溶解度和振蕩效應都有關系。為了達到清洗目的，也常使用表面活性劑，使粒子不再沉淀在表面上，可見超聲清洗技術的實際效果更加明顯。

綜上所述，在集成電路的工序與流程當中，占據相當比重的 工作內容就是包含超超聲的清洗。因為工藝技術當中對最終表面 提出的要求并不相同，為此清洗使用的技術方法之間也存在差異性。硅片清洗過程中主要采用的是超聲以及超聲技術，這項技術的使用對期間生產以及性能具有重要保護作用。